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LN60A01EP-LF的图片

LN60A01EP-LF

FET - 阵列

制造厂商：MPS(芯源)

功能简述：MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP

原厂封装：8-DIP

优势价格，LN60A01EP-LF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货

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LN60A01EP-LF的功能参数资料 - MPS公司(芯源)提供

MPS美国芯源半导体完整型号: LN60A01EP-LF

制造厂家名称: M-P-S

功能总体简述: MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP

系列: -

FET 类型: 3 N 沟道，共栅

FET 功能: 标准

漏源极电压（Vdss）: 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 80mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）: 190 欧姆 @ 10mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1.2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: -

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: -

功率 - 最大值: 1.3W

安装类型: 通孔

封装/外壳: 8-DIP（0.300"，7.62mm）

供应商器件封装: 8-PDIP

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